Справочник MOSFET. DH0159E

 

DH0159E Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DH0159E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 230 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 59 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 120 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.017 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для DH0159E

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DH0159E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1360K  cn wxdh
 dh0159 dh0159f dh0159b dh0159d dh0159i dh0159e.pdf pdf_icon

DH0159E

DH0159/DH0159F/DH0159BDH0159D/DH0159I/DH0159E59A 100V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets used2 DV = 100VDSSadvanced trench technology design, provided excellentRdson and low gate charge. Which accords with the RoHSGR = 13.0mDS(on) (TYP)standard.13 SI = 59AD2 Features Low on resistance

Другие MOSFET... D2N60 , D4N70 , D4N80 , D50N06 , D5N50 , DH0159 , DH0159B , DH0159D , 5N65 , DH0159F , DH0159I , DH019N04 , DH019N04B , DH019N04D , DH019N04E , 20N65D , 23N50D .

History: NDP605A | SML8028JVR | HFS12N60S

 

 
Back to Top

 


 
.