DH0159E datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: DH0159E  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 230 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 59 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 120 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.017 Ohm

Тип корпуса: TO263

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для DH0159E

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DH0159E даташит

 ..1. Size:1360K  cn wxdh
 dh0159 dh0159f dh0159b dh0159d dh0159i dh0159e.pdf pdf_icon

DH0159E

DH0159/DH0159F/DH0159B DH0159D/DH0159I/DH0159E 59A 100V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhancement mode power mosfets used 2 D V = 100V DSS advanced trench technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with the RoHS G R = 13.0m DS(on) (TYP) standard. 1 3 S I = 59A D 2 Features Low on resistance

Другие IGBT... D2N60, D4N70, D4N80, D50N06, D5N50, DH0159, DH0159B, DH0159D, 2SK3568, DH0159F, DH0159I, DH019N04, DH019N04B, DH019N04D, DH019N04E, 20N65D, 23N50D