DH0159E Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: DH0159E
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 230 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 59 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 120 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.017 Ohm
Тип корпуса: TO263
DH0159E Datasheet (PDF)
dh0159 dh0159f dh0159b dh0159d dh0159i dh0159e.pdf

DH0159/DH0159F/DH0159BDH0159D/DH0159I/DH0159E59A 100V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets used2 DV = 100VDSSadvanced trench technology design, provided excellentRdson and low gate charge. Which accords with the RoHSGR = 13.0mDS(on) (TYP)standard.13 SI = 59AD2 Features Low on resistance
Другие MOSFET... D2N60 , D4N70 , D4N80 , D50N06 , D5N50 , DH0159 , DH0159B , DH0159D , 5N65 , DH0159F , DH0159I , DH019N04 , DH019N04B , DH019N04D , DH019N04E , 20N65D , 23N50D .
History: STV3NA80 | 2SK900 | SIS410DN | SLF10N65C
History: STV3NA80 | 2SK900 | SIS410DN | SLF10N65C



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMTQ11DN10A | JMTQ100P03A | JMTQ100N04A | JMTQ100N03D | JMTQ100N03A | JMTK90N02A | JMTK80N06A | JMTK75N02A | JMTK70N07A | JMTK60N04B | JMTK58N06B | JMTK50P03A | JMTK50P02A | JMTK50N06B | JMTK50N03A | JMTK500N10A
Popular searches
2sc870 | 2sa771 | d667 | a965 transistor | hy3210 | d313 transistor equivalent | 2sb827 | c5200 datasheet