Справочник MOSFET. DH0159I

 

DH0159I Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DH0159I
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 230 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 59 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 120 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.017 Ohm
   Тип корпуса: TO262
 

 Аналог (замена) для DH0159I

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DH0159I Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1360K  cn wxdh
 dh0159 dh0159f dh0159b dh0159d dh0159i dh0159e.pdf pdf_icon

DH0159I

DH0159/DH0159F/DH0159BDH0159D/DH0159I/DH0159E59A 100V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets used2 DV = 100VDSSadvanced trench technology design, provided excellentRdson and low gate charge. Which accords with the RoHSGR = 13.0mDS(on) (TYP)standard.13 SI = 59AD2 Features Low on resistance

Другие MOSFET... D4N80 , D50N06 , D5N50 , DH0159 , DH0159B , DH0159D , DH0159E , DH0159F , 13N50 , DH019N04 , DH019N04B , DH019N04D , DH019N04E , 20N65D , 23N50D , 5N65C , 60N10B .

History: KDB7045L | H5N3005LD | FMI06N60ES | FXN5N65D

 

 
Back to Top

 


 
.