DH0159I Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: DH0159I
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 230 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 59 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 96 nC
trⓘ - Время нарастания: 120 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.017 Ohm
Тип корпуса: TO262
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
DH0159I Datasheet (PDF)
..1. Size:1360K cn wxdh
dh0159 dh0159f dh0159b dh0159d dh0159i dh0159e.pdf
dh0159 dh0159f dh0159b dh0159d dh0159i dh0159e.pdf
DH0159/DH0159F/DH0159BDH0159D/DH0159I/DH0159E59A 100V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets used2 DV = 100VDSSadvanced trench technology design, provided excellentRdson and low gate charge. Which accords with the RoHSGR = 13.0mDS(on) (TYP)standard.13 SI = 59AD2 Features Low on resistance
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
