DH019N04 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: DH019N04
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 255 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 250 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 183 nC
trⓘ - Время нарастания: 140 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 784 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0025 Ohm
Тип корпуса: TO220
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
DH019N04 Datasheet (PDF)
..1. Size:1223K cn wxdh
dh019n04 dh019n04f dh019n04i dh019n04e dh019n04b dh019n04d.pdf
dh019n04 dh019n04f dh019n04i dh019n04e dh019n04b dh019n04d.pdf
DH019N04/DH019N04F/DH019N04IDH019N04E/DH019N04B/DH019N04D250A 40V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets used2 DV = 40VDSSadvanced trench technology design, provided excellentRdson and low gate charge. Which accords with the RoHSGR = 2mDS(on) (TYP)standard.13 SI = 250AD2 Features Fast switchin
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
