DH019N04B - описание и поиск аналогов

 

Аналоги DH019N04B. Основные параметры


   Наименование производителя: DH019N04B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 179 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 250 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 140 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 784 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0025 Ohm
   Тип корпуса: TO251
 

 Аналог (замена) для DH019N04B

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DH019N04B даташит

 ..1. Size:1223K  cn wxdh
 dh019n04 dh019n04f dh019n04i dh019n04e dh019n04b dh019n04d.pdf pdf_icon

DH019N04B

DH019N04/DH019N04F/DH019N04I DH019N04E/DH019N04B/DH019N04D 250A 40V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhancement mode power mosfets used 2 D V = 40V DSS advanced trench technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with the RoHS G R = 2m DS(on) (TYP) standard. 1 3 S I = 250A D 2 Features Fast switchin

Другие MOSFET... D5N50 , DH0159 , DH0159B , DH0159D , DH0159E , DH0159F , DH0159I , DH019N04 , SI2302 , DH019N04D , DH019N04E , 20N65D , 23N50D , 5N65C , 60N10B , 60N10D , 60N10E .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.