JMTE070N07A - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: JMTE070N07A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 232 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 68 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 123 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 361 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0075 Ohm
Тип корпуса: TO263
Аналог (замена) для JMTE070N07A
JMTE070N07A Datasheet (PDF)
jmte070n07a.pdf
JMTE070N07A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application 68V, 120A Load Switch R
jmte018n03a.pdf
30V, 190A, 1.9m N-channel Power Trench MOSFETJMTE018N03AProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TESTEDVDSS 30 V 100% Vds TESTEDVGS(th)_Typ 1.5 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 190 A Pb-free platingRDS(ON)_Typ(@VGS=10V 1.9 mWApplications Load Switch PWM Application Power M
jmte035n06d.pdf
JMTE035N06DDescriptionJMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeatures Application 60V, 180A Load SwitchR
jmte060n06a.pdf
JMTE060N06ADescriptionJMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeatures Application 60V, 120A Load SwitchR
Другие MOSFET... 60N10D , 60N10E , 60N10F , 60N10I , AOB413 , B110N04 , HYG035N10NS2P , HYG035N10NS2B , IRF1405 , DH012N03D , DH012N03E , DH012N03F , DH012N03I , DH012N03P , DH012N03U , DH019N04F , DH019N04I .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: SLI40N26C | SLB40N26C | RM150N100HD | HYG043N10NS2B | HYG043N10NS2P | HCA60R070F | FTP16N06A | AGM615MNA | AGM615MN | AGM615D | AGM614MNA | AGM614MN | AGM614MBP-M1 | AGM614MBP | AGM614D | AGM614A-G
Popular searches
tip36c datasheet | 2sc461 | hy1906 | 2sc2238 | 2sc458 transistor | b649a transistor | 2sa606 | 2n3644








