JMTE070N07A. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: JMTE070N07A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 232 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 68 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 123 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 361 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0075 Ohm
Тип корпуса: TO263
Аналог (замена) для JMTE070N07A
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
JMTE070N07A даташит
jmte070n07a.pdf
JMTE070N07A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application 68V, 120A Load Switch R
jmte018n03a.pdf
30V, 190A, 1.9m N-channel Power Trench MOSFET JMTE018N03A Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS TESTED VDSS 30 V 100% Vds TESTED VGS(th)_Typ 1.5 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 190 A Pb-free plating RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 1.9 mW Applications Load Switch PWM Application Power M
jmte035n06d.pdf
JMTE035N06D Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application 60V, 180A Load Switch R
jmte060n06a.pdf
JMTE060N06A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application 60V, 120A Load Switch R
Другие MOSFET... 60N10D , 60N10E , 60N10F , 60N10I , AOB413 , B110N04 , HYG035N10NS2P , HYG035N10NS2B , IRF1405 , DH012N03D , DH012N03E , DH012N03F , DH012N03I , DH012N03P , DH012N03U , DH019N04F , DH019N04I .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASU70R600E | ASU65R850E | ASU65R550E | ASU65R350E | ASR65R120EFD | ASR65R046EFD | ASQ65R046EFD | ASM65R280E | ASM60R330E | ASE70R950E | ASD80R750E | ASD70R950E | ASD70R600E | ASD70R380E | ASD65R850E | ASD65R550E
Popular searches
tip36c datasheet | 2sc461 | hy1906 | 2sc2238 | 2sc458 transistor | b649a transistor | 2sa606 | 2n3644







