JMTE070N07A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: JMTE070N07A
Маркировка: E070N07A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 232 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 68 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 49 nC
trⓘ - Время нарастания: 123 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 361 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0075 Ohm
Тип корпуса: TO263
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
JMTE070N07A Datasheet (PDF)
..1. Size:536K jiejie micro
jmte070n07a.pdf
jmte070n07a.pdf

JMTE070N07A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application 68V, 120A Load Switch R
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: DH020N03E | DH020N03D | DH020N03B | DH020N03 | DH019N04I | DH019N04F | DH012N03U | DH012N03P | DH012N03I | DH012N03F | DH012N03E | DH012N03D | JMTE070N07A | HYG035N10NS2B | HYG035N10NS2P | B110N04