DH020N03D - описание и поиск аналогов

 

DH020N03D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: DH020N03D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 278 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 200 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 120 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 787 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0024 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для DH020N03D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DH020N03D даташит

 ..1. Size:1166K  cn wxdh
 dh020n03 dh020n03f dh020n03i dh020n03e dh020n03b dh020n03d.pdf pdf_icon

DH020N03D

DH020N03/DH020N03F/DH020N03I/ DH020N03E/DH020N03B/DH020N03D 200A 30V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhancement mode power mosfets used 2 D V = 30V DSS advanced trench technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with the RoHS G R = 2.0m DS(on) (TYP) standard. 1 3 S I = 200A D 2 Features Low on res

 6.1. Size:704K  cn wxdh
 dh020n03p.pdf pdf_icon

DH020N03D

Другие MOSFET... DH012N03F , DH012N03I , DH012N03P , DH012N03U , DH019N04F , DH019N04I , DH020N03 , DH020N03B , RU7088R , DH020N03E , B25N10 , B2N65 , B4N60 , B4N65 , B4N80 , B50N06 , B5N50 .

History: 5NA80 | 2SK1314S | SM6127NSUB | 2SK3575-S | SLD2N65UZ | DH020N03B | DH020N03

 

 

 

 

↑ Back to Top
.