B640 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: B640
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 20.4 nC
trⓘ - Время нарастания: 33 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 183 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm
Тип корпуса: TO251
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
B640 Datasheet (PDF)
640 f640 i640 e640 b640 d640.pdf
640/F640/I640/E640/B640/D64018A 200V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhanced vdmosfets, is obtained by the2 DV = 200Vself-aligned planar technology which reduce the DSSconduction loss, improve switching performance andR = 0.12DS(on) (TYP)Genhance the avalanche energy. Which accords with the1RoHS standard.I = 18A3 S D2 Featur
swp640d swy640d swb640d.pdf
SW640D N-channel Enhanced mode TO-220/TO-220FT/TO-263 MOSFET TO-220 TO-220FT TO-263 BVDSS : 200V Features ID : 18A High ruggedness RDS(ON) : 0.15 Low RDS(ON) (Typ 0.15)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 38nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 1 1 100% Avalanche Tested 2 1 2 2 3 3 3 Application: LED , Adaptor 1. Gate 2. Drain 3. Sour
hgb640n25s hgk640n25s hgp640n25s.pdf
,HGB640N25S HGP640N25S P-1HGK640N25S250V N-Ch Power MOSFETFeature250 VVDS High Speed Power SwitchingTO-263 50RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capabilityTO-247 50RDS(on),typ m Enhanced Avalanche RuggednessTO-220 50RDS(on),typ m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested35 AID Lead FreeApplication Synchronous Rectification in SMPS
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
