Справочник MOSFET. DATP057N06N

 

DATP057N06N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DATP057N06N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 71 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 63 nC
   trⓘ - Время нарастания: 48 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 263 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0057 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

DATP057N06N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:862K  cn wxdh
datp057n06n.pdfpdf_icon

DATP057N06N

DATP057N06N70A 60V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets used2 DV = 60VDSSadvanced trench technology design, provided excellentRdson and low gate charge. Which accords with the RoHSR = 5.3mDS(on) (TYP)Gstandard.1I =70AD3 S2 Features AEC-Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top

 


 
.