Справочник MOSFET. DATP057N06N

 

DATP057N06N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DATP057N06N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 71 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 48 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 263 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0057 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6-8
 

 Аналог (замена) для DATP057N06N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DATP057N06N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:862K  cn wxdh
 datp057n06n.pdf pdf_icon

DATP057N06N

DATP057N06N70A 60V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets used2 DV = 60VDSSadvanced trench technology design, provided excellentRdson and low gate charge. Which accords with the RoHSR = 5.3mDS(on) (TYP)Gstandard.1I =70AD3 S2 Features AEC-Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175

Другие MOSFET... B5N50 , B5N65 , B630 , B640 , B740 , B7N70 , B80N06 , DATD063N06N , IRF640 , DH009N02 , DH009N02B , DH009N02D , DH009N02E , DH009N02F , DH009N02I , DH009N02P , DH012N03 .

History: PSMN5R8-40YS | FMI16N50E | GC11N65K

 

 
Back to Top

 


 
.