D10N70 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: D10N70
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 130 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 24.8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.1 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для D10N70
D10N70 Datasheet (PDF)
d10n70.pdf

D10N7010A 700V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhanced vdmosfets, is obtained by the self-alignedVDSS = 700Vplanar technology which reduce the conduction loss, improve switchingI = 10.0ADperformance and enhance the avalanche energy. Which accords with theRoHS standard.RDS(on)TYP)=0.962 Features Fast switching ESD im
swf10n70k swd10n70k.pdf

SW10N70K N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-252 MOSFET Features TO-220F TO-252 BVDSS : 700V ID : 10A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 0.36)@VGS=10V RDS(ON) : 0.36 Low Gate Charge (Typ 29nC) Improved dv/dt Capability 2 1 100% Avalanche Tested 1 2 2 3 3 Application:Charger,LED,TV-Power 1 1. Gate 2. Drain 3. Source General D
sw10n70k swf10n70k swd10n70k.pdf

SW10N70K N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-252 MOSFET Features TO-220F TO-252 BVDSS : 700V ID : 10A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 0.36)@VGS=10V RDS(ON) : 0.36 Low Gate Charge (Typ 29nC) Improved dv/dt Capability 2 1 100% Avalanche Tested 1 2 2 3 3 Application:Charge,LED,TV-Power 1 1. Gate 2. Drain 3. Source General De
Другие MOSFET... D8N50 , D9N65 , 18P10 , 18P10B , 18P10D , 18P10E , 18P10F , 18P10I , AO3400 , D110N04 , D120N10ZR , CMP3006-VB , 2N3368 , 2N3369 , 2N3370 , DH020N03F , DH020N03I .
History: 3SK260 | GP1M018A020XX | TF3410 | AP70SL500AH | PMPB20UN | P3203EVG | CES2308
History: 3SK260 | GP1M018A020XX | TF3410 | AP70SL500AH | PMPB20UN | P3203EVG | CES2308



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
a562 transistor | oc44 datasheet | 2sa70 | 2sa706 | 2sc539 | 2n5401 transistor equivalent | p0903bdg | c1384 transistor