Справочник MOSFET. DH020N03F

 

DH020N03F Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DH020N03F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 56 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 200 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 120 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 787 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0024 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

DH020N03F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1166K  cn wxdh
 dh020n03 dh020n03f dh020n03i dh020n03e dh020n03b dh020n03d.pdf pdf_icon

DH020N03F

DH020N03/DH020N03F/DH020N03I/DH020N03E/DH020N03B/DH020N03D200A 30V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets used2 DV = 30VDSSadvanced trench technology design, provided excellentRdson and low gate charge. Which accords with the RoHSGR = 2.0mDS(on) (TYP)standard.13 SI = 200AD2 Features Low on res

 6.1. Size:704K  cn wxdh
 dh020n03p.pdf pdf_icon

DH020N03F

DH020N03P160A 30V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets used2 DV = 30VDSSadvanced trench technology design, provided excellentRdson and low gate charge. Which accords with the RoHSGR = 1.5mDS(on) (TYP)standard.13 SI = 160AD2 Features Low on resistance Low gate charge Fast switching

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: SQJ474EP | STP80NE03L-06

 

 
Back to Top

 


 
.