DH020N03P. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: DH020N03P

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 220 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 160 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 120 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 787 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0018 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6-8L

Аналог (замена) для DH020N03P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DH020N03P даташит

 ..1. Size:704K  cn wxdh
 dh020n03p.pdf pdf_icon

DH020N03P

 6.1. Size:1166K  cn wxdh
 dh020n03 dh020n03f dh020n03i dh020n03e dh020n03b dh020n03d.pdf pdf_icon

DH020N03P

DH020N03/DH020N03F/DH020N03I/ DH020N03E/DH020N03B/DH020N03D 200A 30V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhancement mode power mosfets used 2 D V = 30V DSS advanced trench technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with the RoHS G R = 2.0m DS(on) (TYP) standard. 1 3 S I = 200A D 2 Features Low on res

Другие IGBT... D110N04, D120N10ZR, CMP3006-VB, 2N3368, 2N3369, 2N3370, DH020N03F, DH020N03I, 12N60, DCC016M120G2, DCC016M120G3, DCC020M65G2, DCC030M120G2, DCC040M65G2, DCC060M65G2, DCC075M120G2C, DCC080M120A