Справочник MOSFET. DCC040M65G2

 

DCC040M65G2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DCC040M65G2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 176 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 22 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 52 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 135 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.052 Ohm
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для DCC040M65G2

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DCC040M65G2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1691K  cn wxdh
 dcc040m65g2 dccf040m65g2.pdf pdf_icon

DCC040M65G2

DCC040M65G2/DCCF040M65G2 52A 650V N-channel SiC Power MOSFET 1 Description This product family offers state of the art performance. It is designed for high frequency applications where high efficiency and high reliability are required. 2 Features Higher System Efficiency Reduced Cooling Requirements Increased Power Density Increased System Switching Frequency

Другие MOSFET... 2N3370 , DH020N03F , DH020N03I , DH020N03P , DCC016M120G2 , DCC016M120G3 , DCC020M65G2 , DCC030M120G2 , AO4407 , DCC060M65G2 , DCC075M120G2C , DCC080M120A , DCC160M120G1 , DCCF016M120G2 , DCCF016M120G3 , DCCF020M65G2 , DH100P40D .

History: TPP65R075DFD | TT8U1 | 12N10G-TM3-T | PMT280ENEA | SWN4N70D1 | BL6N70A-D | TPU65R600M

 

 
Back to Top

 


 
.