DCC060M65G2. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: DCC060M65G2

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 166 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 22 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 41 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 82 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.079 Ohm

Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для DCC060M65G2

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DCC060M65G2 даташит

 ..1. Size:1422K  cn wxdh
 dcc060m65g2 dccf060m65g2.pdf pdf_icon

DCC060M65G2

DCC060M65G2/DCCF060M65G2 41A 650V N-channel SiC Power MOSFET 1 Description This product family offers state of the art performance. It is designed for high frequency applications where high efficiency and high reliability are required. 2 Features Higher System Efficiency Reduced Cooling Requirements Increased Power Density Increased System Switching Frequency

Другие IGBT... DH020N03F, DH020N03I, DH020N03P, DCC016M120G2, DCC016M120G3, DCC020M65G2, DCC030M120G2, DCC040M65G2, CS150N03A8, DCC075M120G2C, DCC080M120A, DCC160M120G1, DCCF016M120G2, DCCF016M120G3, DCCF020M65G2, DH100P40D, DH100P40E