DCC060M65G2 - аналоги и даташиты транзистора

 

DCC060M65G2 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: DCC060M65G2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 166 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 22 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 41 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 82 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.079 Ohm
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для DCC060M65G2

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DCC060M65G2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1422K  cn wxdh
 dcc060m65g2 dccf060m65g2.pdf pdf_icon

DCC060M65G2

DCC060M65G2/DCCF060M65G2 41A 650V N-channel SiC Power MOSFET 1 Description This product family offers state of the art performance. It is designed for high frequency applications where high efficiency and high reliability are required. 2 Features Higher System Efficiency Reduced Cooling Requirements Increased Power Density Increased System Switching Frequency

Другие MOSFET... DH020N03F , DH020N03I , DH020N03P , DCC016M120G2 , DCC016M120G3 , DCC020M65G2 , DCC030M120G2 , DCC040M65G2 , CS150N03A8 , DCC075M120G2C , DCC080M120A , DCC160M120G1 , DCCF016M120G2 , DCCF016M120G3 , DCCF020M65G2 , DH100P40D , DH100P40E .

History: FQD5N60CTM | IPD053N06N3G

 

 
Back to Top

 


 
.