DH4N150F. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: DH4N150F

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 1500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 98 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 6.5 Ohm

Тип корпуса: TO3PF

Аналог (замена) для DH4N150F

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DH4N150F даташит

 ..1. Size:734K  cn wxdh
 dh4n150f.pdf pdf_icon

DH4N150F

DH4N150F 4A 1500V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description DH4N150 , the silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, is obtained by V DSS = 1500V the self-aligned planar Technology which reduce the conduction loss, I = 4.0A D improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching circuit for system R DS(on) TYP)

 7.1. Size:782K  cn wxdh
 dh4n150b.pdf pdf_icon

DH4N150F

DH4N150B 4A 1500V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description DH4N150 , the silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, is obtained by V DSS = 1500V the self-aligned planar Technology which reduce the conduction loss, I = 4.0A D improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching circuit for system R DS(on) TYP)

Другие IGBT... DH105N07, DH105N07B, DH105N07D, DH105N07E, DH105N07F, DH105N07I, DH105N07P, DH4N150B, 2N60, DH500P06R, DH50N06FZC, DH50N15, DH60N06, DH8004, DH8004B, DH8004D, DH80N08B22