Справочник MOSFET. DH4N150F

 

DH4N150F Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DH4N150F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 98 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 6.5 Ohm
   Тип корпуса: TO3PF
 

 Аналог (замена) для DH4N150F

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DH4N150F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:734K  cn wxdh
 dh4n150f.pdf pdf_icon

DH4N150F

DH4N150F4A 1500V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionDH4N150 , the silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, is obtained byVDSS = 1500Vthe self-aligned planar Technology which reduce the conduction loss,I = 4.0ADimprove switching performance and enhance the avalanche energy. Thetransistor can be used in various power switching circuit for systemRDS(on)TYP)

 7.1. Size:782K  cn wxdh
 dh4n150b.pdf pdf_icon

DH4N150F

DH4N150B4A 1500V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionDH4N150 , the silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, is obtained byVDSS = 1500Vthe self-aligned planar Technology which reduce the conduction loss,I = 4.0ADimprove switching performance and enhance the avalanche energy. Thetransistor can be used in various power switching circuit for systemRDS(on)TYP)

Другие MOSFET... DH105N07 , DH105N07B , DH105N07D , DH105N07E , DH105N07F , DH105N07I , DH105N07P , DH4N150B , IRF830 , DH500P06R , DH50N06FZC , DH50N15 , DH60N06 , DH8004 , DH8004B , DH8004D , DH80N08B22 .

History: AFP8463 | HGI090NE6A | SQ2337ES | AON7518 | 2SK346 | MTP2N90 | AP6901GSM-HF

 

 
Back to Top

 


 
.