Справочник MOSFET. DH4N150F

 

DH4N150F Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DH4N150F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 98 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 6.5 Ohm
   Тип корпуса: TO3PF
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

DH4N150F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:734K  cn wxdh
 dh4n150f.pdf pdf_icon

DH4N150F

DH4N150F4A 1500V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionDH4N150 , the silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, is obtained byVDSS = 1500Vthe self-aligned planar Technology which reduce the conduction loss,I = 4.0ADimprove switching performance and enhance the avalanche energy. Thetransistor can be used in various power switching circuit for systemRDS(on)TYP)

 7.1. Size:782K  cn wxdh
 dh4n150b.pdf pdf_icon

DH4N150F

DH4N150B4A 1500V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionDH4N150 , the silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, is obtained byVDSS = 1500Vthe self-aligned planar Technology which reduce the conduction loss,I = 4.0ADimprove switching performance and enhance the avalanche energy. Thetransistor can be used in various power switching circuit for systemRDS(on)TYP)

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: AM20N06-90I | FTP02N65B | 2N7002DCSM | AP3B026M | 2N7000RLRA | CJU4828 | AM90N10-23P

 

 
Back to Top

 


 
.