DH8004D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: DH8004D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 245 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 180 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1030 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm

Тип корпуса: TO3P

Аналог (замена) для DH8004D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DH8004D даташит

 ..1. Size:1237K  cn wxdh
 dh8004 dhi8004 dhe8004 dh8004d dh8004b.pdf pdf_icon

DH8004D

DH8004/DHI8004/DHE8004/ DH8004D/DH8004B 180A 80V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhancement mode power mosfets used advanced trench technology design, provided excellent 2 D Rdson and low gate charge. Which accords with the RoHS V = 80V DSS standard. G R = 2.8m DS(on) (Type) 1 2 Features 3 S I = 180A D Fast switching Low on resi

Другие IGBT... DH4N150B, DH4N150F, DH500P06R, DH50N06FZC, DH50N15, DH60N06, DH8004, DH8004B, IRF1405, DH80N08B22, DH8290, DH850N10, DH850N10B, DH850N10D, DH850N10E, DH850N10F, DH150N12