DH8004D - аналоги и даташиты транзистора

 

DH8004D - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: DH8004D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 245 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 180 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1030 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm
   Тип корпуса: TO3P
 

 Аналог (замена) для DH8004D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DH8004D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1237K  cn wxdh
 dh8004 dhi8004 dhe8004 dh8004d dh8004b.pdf pdf_icon

DH8004D

DH8004/DHI8004/DHE8004/DH8004D/DH8004B180A 80V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets usedadvanced trench technology design, provided excellent2 DRdson and low gate charge. Which accords with the RoHSV = 80VDSSstandard.G R = 2.8mDS(on) (Type)12 Features3 S I = 180AD Fast switching Low on resi

Другие MOSFET... DH4N150B , DH4N150F , DH500P06R , DH50N06FZC , DH50N15 , DH60N06 , DH8004 , DH8004B , IRF1405 , DH80N08B22 , DH8290 , DH850N10 , DH850N10B , DH850N10D , DH850N10E , DH850N10F , DH150N12 .

History: 25N10L-TF2-T | IPB65R099C6 | 24NM60L-T47-T

 

 
Back to Top

 


 
.