DH150N12I. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: DH150N12I

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 230 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 120 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 105 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm

Тип корпуса: TO262

Аналог (замена) для DH150N12I

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DH150N12I даташит

 ..1. Size:1329K  cn wxdh
 dh150n12 dh150n12f dh150n12i dh150n12e dh150n12b dh150n12d.pdf pdf_icon

DH150N12I

DH150N12/DH150N12F/DH150N12I DH150N12E/DH150N12B/DH150N12D 50A 120V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhancement mode power mosfets used 2 D V = 120V DSS advanced trench technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with the RoHS G R = 15.0m DS(on) (TYP) standard. 1 3 S I = 50A D 2 Features Low on res

Другие IGBT... DH850N10D, DH850N10E, DH850N10F, DH150N12, DH150N12B, DH150N12D, DH150N12E, DH150N12F, AOD4184A, DH160P03V, DH160P04D, DH16N06, DH170P04V, DH1K1N10, DH1K1N10B, DH1K1N10D, DH1K1N10E