DH1K1N10I. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: DH1K1N10I

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 19.7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 27 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.14 Ohm

Тип корпуса: TO262

Аналог (замена) для DH1K1N10I

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DH1K1N10I даташит

 ..1. Size:1154K  cn wxdh
 dh1k1n10 dh1k1n10f dh1k1n10i dh1k1n10e dh1k1n10b dh1k1n10d.pdf pdf_icon

DH1K1N10I

DH1K1N10/DH1K1N10F/DH1K1N10I DH1K1N10E/DH1K1N10B/DH1K1N10D 12A 100V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhancement mode power mosfets used 2 D V = 100V DSS advanced trench technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with the RoHS G R = 112m DS(on) (TYP) standard. 1 3 S ID =12A 2 Features Low on resista

Другие IGBT... DH160P04D, DH16N06, DH170P04V, DH1K1N10, DH1K1N10B, DH1K1N10D, DH1K1N10E, DH1K1N10F, 20N60, DH300N08, DH300N08B, DH300N08D, DH300N08E, DH300N08F, DH300N08I, DH300P06, DH300P06B