DH025N03F Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: DH025N03F
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 150 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 88 nC
tr ⓘ - Время нарастания: 119 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 561 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0032 Ohm
Тип корпуса: TO220F
Аналог (замена) для DH025N03F
DH025N03F Datasheet (PDF)
dh025n03 dh025n03f dh025n03e dh025n03i dh025n03b dh025n03d.pdf

DH025N03/DH025N03F/DH025N03EDH025N03I/DH025N03B/DH025N03D150A 30V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets used2 DV = 30VDSSadvanced trench technology design, provided excellentRdson and low gate charge. Which accords with the RoHSGR = 2.5mDS(on) (TYP)standard.13 SI = 150AD2 Features Low on resi
dh025n04 dh025n04f dh025n04i dh025n04e dh025n04b dh025n04d.pdf

DH025N04/DH025N04F/DH025N04IDH025N04E/DH025N04B/DH025N04D130A 40V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets used2 DV = 40VDSSadvanced trench technology design, provided excellentRdson and low gate charge. Which accords with the RoHSGR = 2.8mDS(on) (TYP)standard.13 SI = 130AD2 Features Low on resi
dh025n08.pdf

DH025N0885V/2.9m/215A N-MOSFETFeatures Key Parameters Fast switching VDS 85V Low on resistance RDS(on)typ. 2.9m Low gate charge ID 215A High avalanche current Vth 2.9V Low reverse transfer capacitances Ciss@10V 17292pF 100% single pulse avalanche energy test Qgd 94nC 100% VDS testApplications Motor Control and Drive Charge/Discharge for B
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , AON7506 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: FBM85N80B | FBM85N80P | FBM80N70B | FBM80N70P | N6005D | N6005B | N6005 | IN6005 | ID120N10ZR | I80N06 | I740 | I640 | I630 | I50N06 | I25N10 | I20N50
Popular searches
2n5088 transistor equivalent | 2n5884 | bc640 | 2sc756 | oc44 transistor datasheet | 2sa1210 | 2sc3792 | mps2907a transistor equivalent