Справочник MOSFET. DH135N10P

 

DH135N10P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DH135N10P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 147 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 47 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 120 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0156 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6-8L
 

 Аналог (замена) для DH135N10P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DH135N10P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:760K  cn wxdh
 dh135n10p.pdf pdf_icon

DH135N10P

DH135N10P47A 100V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets used2 DV = 100VDSSadvanced trench technology design, provided excellentRdson and low gate charge. Which accords with the RoHSGR = 13.0mDS(on) (TYP)standard.13 SI = 47AD2 Features Low on resistance Low gate charge Fast switching

Другие MOSFET... DH025N04B , DH025N04D , DH025N04E , DH025N04F , DH025N04I , HY1708MF-VB , PK6H6BA , QN3103M6N , 20N50 , DH140N10B , DH140N10D , DH240N06L , DH240N06LB , DH240N06LD , DH240N06LE , DH240N06LF , DH240N06LI .

History: SSF3018D | FQD13N10LTF

 

 
Back to Top

 


 
.