DH135N10P. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: DH135N10P

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 147 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 47 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 120 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0156 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6-8L

Аналог (замена) для DH135N10P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DH135N10P даташит

 ..1. Size:760K  cn wxdh
 dh135n10p.pdf pdf_icon

DH135N10P

DH135N10P 47A 100V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhancement mode power mosfets used 2 D V = 100V DSS advanced trench technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with the RoHS G R = 13.0m DS(on) (TYP) standard. 1 3 S I = 47A D 2 Features Low on resistance Low gate charge Fast switching

Другие IGBT... DH025N04B, DH025N04D, DH025N04E, DH025N04F, DH025N04I, HY1708MF-VB, PK6H6BA, QN3103M6N, STP80NF70, DH140N10B, DH140N10D, DH240N06L, DH240N06LB, DH240N06LD, DH240N06LE, DH240N06LF, DH240N06LI