Справочник MOSFET. DH135N10P

 

DH135N10P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DH135N10P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 147 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 47 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 120 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0156 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6-8L
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

DH135N10P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:760K  cn wxdh
 dh135n10p.pdf pdf_icon

DH135N10P

DH135N10P47A 100V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets used2 DV = 100VDSSadvanced trench technology design, provided excellentRdson and low gate charge. Which accords with the RoHSGR = 13.0mDS(on) (TYP)standard.13 SI = 47AD2 Features Low on resistance Low gate charge Fast switching

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: NTB5605P | SSF7N90A | IRF3708PBF | FQD13N10LTF | IRCP254 | NTJD4001N | IXFP18N65X2

 

 
Back to Top

 


 
.