Справочник MOSFET. DH140N10B

 

DH140N10B Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DH140N10B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 220 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 68 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 110 nC
   trⓘ - Время нарастания: 126 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 220 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm
   Тип корпуса: TO251
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

DH140N10B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:977K  cn wxdh
 dh140n10b dh140n10d.pdf pdf_icon

DH140N10B

DH140N10B&DH140N10D68A 100V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets used2 DV = 100VDSSadvanced trench technology design, provided excellentRdson and low gate charge. Which accords with the RoHSGR = 11.0mDS(on) (TYP)standard.13 SI = 68AD2 Features Low on resistance Low gate charge Fast s

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: IRFP451 | IRFP350 | 2SK3568 | FQU2N100 | FDP075N15A

 

 
Back to Top

 


 
.