Справочник MOSFET. DH140N10B

 

DH140N10B Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DH140N10B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 220 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 68 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 126 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 220 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm
   Тип корпуса: TO251
 

 Аналог (замена) для DH140N10B

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DH140N10B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:977K  cn wxdh
 dh140n10b dh140n10d.pdf pdf_icon

DH140N10B

DH140N10B&DH140N10D68A 100V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets used2 DV = 100VDSSadvanced trench technology design, provided excellentRdson and low gate charge. Which accords with the RoHSGR = 11.0mDS(on) (TYP)standard.13 SI = 68AD2 Features Low on resistance Low gate charge Fast s

Другие MOSFET... DH025N04D , DH025N04E , DH025N04F , DH025N04I , HY1708MF-VB , PK6H6BA , QN3103M6N , DH135N10P , IRF1407 , DH140N10D , DH240N06L , DH240N06LB , DH240N06LD , DH240N06LE , DH240N06LF , DH240N06LI , DH400P06 .

History: TPC8216-H | NTMFS4937N | AUIRFS4610 | IXFN32N100Q3 | 25N06G | MTM15N35 | IXTA4N80P

 

 
Back to Top

 


 
.