Справочник MOSFET. DH400P06B

 

DH400P06B Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DH400P06B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 105 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 53 nC
   trⓘ - Время нарастания: 58.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 194 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm
   Тип корпуса: TO251
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

DH400P06B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1213K  cn wxdh
 dh400p06 dh400p06f dh400p06i dh400p06e dh400p06b dh400p06d.pdf pdf_icon

DH400P06B

DH400P06/DH400P06F/DH400P06IDH400P06E/DH400P06B/DH400P06D40A 60V P-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese P-channel enhanced vdmosfets, used advancedV = -60VDSStrench technology and design, provide to excellentRdson with low gate charge. Which accords with theR =32mDS(on) (TYP)RoHS standard.I = -40AD2 Features Fast switching Low on resist

 6.1. Size:969K  cn wxdh
 dh400p06ld dh400p06lb.pdf pdf_icon

DH400P06B

DH400P06LD&DH400P06LB-40A -60V P-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese P-channel enhancement mode power mosfets usedV = -60VDSSadvanced trench technology design, provided excellentRdson and low gate charge. Which accords with the RoHSR = 22mDS(on) (TYP)standard.I = -40AD2 Features Low on resistance Low gate charge Fast switching

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top

 


 
.