DH400P06D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: DH400P06D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 105 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 58.2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 194 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для DH400P06D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DH400P06D даташит

 ..1. Size:1213K  cn wxdh
 dh400p06 dh400p06f dh400p06i dh400p06e dh400p06b dh400p06d.pdf pdf_icon

DH400P06D

DH400P06/DH400P06F/DH400P06I DH400P06E/DH400P06B/DH400P06D 40A 60V P-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These P-channel enhanced vdmosfets, used advanced V = -60V DSS trench technology and design, provide to excellent Rdson with low gate charge. Which accords with the R =32m DS(on) (TYP) RoHS standard. I = -40A D 2 Features Fast switching Low on resist

 6.1. Size:969K  cn wxdh
 dh400p06ld dh400p06lb.pdf pdf_icon

DH400P06D

DH400P06LD&DH400P06LB -40A -60V P-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These P-channel enhancement mode power mosfets used V = -60V DSS advanced trench technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with the RoHS R = 22m DS(on) (TYP) standard. I = -40A D 2 Features Low on resistance Low gate charge Fast switching

Другие IGBT... DH240N06L, DH240N06LB, DH240N06LD, DH240N06LE, DH240N06LF, DH240N06LI, DH400P06, DH400P06B, RFP50N06, DH400P06E, DH400P06F, DH400P06I, DH400P06LB, DH400P06LD, DH025N08, DH026N06, DH026N06B