Справочник MOSFET. DH026N06E

 

DH026N06E Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DH026N06E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 312 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 238 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 255 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 685 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0034 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для DH026N06E

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DH026N06E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1437K  cn wxdh
 dh026n06 dh026n06f dh026n06i dh026n06e dh026n06d dh026n06b.pdf pdf_icon

DH026N06E

DH026N06/DH026N06F/DH026N06I/DH026N06E/DH026N06D/DH026N06B238A 60V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets used2 DV = 60VDSSadvanced trench technology design, provided excellentRdson and low gate charge. Which accords with the RoHSR = 2.6mDS(on) (Type)Gstandard.1I = 238A3 S D2 Features Low on res

Другие MOSFET... DH400P06F , DH400P06I , DH400P06LB , DH400P06LD , DH025N08 , DH026N06 , DH026N06B , DH026N06D , K2611 , DH026N06F , DH026N06I , DH028N03 , DH028N03B , DH028N03D , DH028N03E , DH028N03F , DH028N03I .

History: SLB80R500SJ | FDFME2P823ZT | NCEP40PT12K

 

 
Back to Top

 


 
.