DH026N06E. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: DH026N06E

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 312 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 238 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 255 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 685 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0034 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для DH026N06E

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DH026N06E даташит

 ..1. Size:1437K  cn wxdh
 dh026n06 dh026n06f dh026n06i dh026n06e dh026n06d dh026n06b.pdf pdf_icon

DH026N06E

DH026N06/DH026N06F/DH026N06I/ DH026N06E/DH026N06D/DH026N06B 238A 60V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhancement mode power mosfets used 2 D V = 60V DSS advanced trench technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with the RoHS R = 2.6m DS(on) (Type) G standard. 1 I = 238A 3 S D 2 Features Low on res

Другие IGBT... DH400P06F, DH400P06I, DH400P06LB, DH400P06LD, DH025N08, DH026N06, DH026N06B, DH026N06D, 8N60, DH026N06F, DH026N06I, DH028N03, DH028N03B, DH028N03D, DH028N03E, DH028N03F, DH028N03I