Справочник MOSFET. DH026N06E

 

DH026N06E Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DH026N06E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 312 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 238 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 255 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 685 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0034 Ohm
   Тип корпуса: TO263
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

DH026N06E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1437K  cn wxdh
 dh026n06 dh026n06f dh026n06i dh026n06e dh026n06d dh026n06b.pdf pdf_icon

DH026N06E

DH026N06/DH026N06F/DH026N06I/DH026N06E/DH026N06D/DH026N06B238A 60V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets used2 DV = 60VDSSadvanced trench technology design, provided excellentRdson and low gate charge. Which accords with the RoHSR = 2.6mDS(on) (Type)Gstandard.1I = 238A3 S D2 Features Low on res

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: FQP1N50 | NCEP065N10GU

 

 
Back to Top

 


 
.