DH028N03I datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: DH028N03I  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 130 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 145 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 118 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 560 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0033 Ohm

Тип корпуса: TO262

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для DH028N03I

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DH028N03I даташит

 ..1. Size:1076K  cn wxdh
 dh028n03 dh028n03f dh028n03e dh028n03i dh028n03b dh028n03d.pdf pdf_icon

DH028N03I

DH028N03/DH028N03F/DH028N03E DH028N03I/DH028N03B/DH028N03D 145A 30V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhancement mode power mosfets used 2 D V = 30V DSS advanced trench technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with the RoHS G R = 2.7m DS(on) (TYP) standard. 1 3 S I = 145A D 2 Features Low on resi

Другие IGBT... DH026N06E, DH026N06F, DH026N06I, DH028N03, DH028N03B, DH028N03D, DH028N03E, DH028N03F, IRFZ24N, DH029N08, DH029N08B, DH029N08D, DH100P28, DH100P28B, DH100P28D, DH100P28E, DH100P28F