Справочник MOSFET. DH045N04E

 

DH045N04E Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DH045N04E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 90 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 52 nC
   trⓘ - Время нарастания: 113 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 232 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065 Ohm
   Тип корпуса: TO263
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

DH045N04E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1215K  cn wxdh
dh045n04 dh045n04f dh045n04i dh045n04e dh045n04b dh045n04d.pdfpdf_icon

DH045N04E

DH045N04/DH045N04FDH045N04I/DH045N04E/DH045N04B/DH045N04D90A 40V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets used2 DV = 40VDSSadvanced trench technology design, provided excellentRdson and low gate charge. Which accords with the RoHSGR = 5.5mDS(on) (TYP)standard.13 SI = 90AD2 Features Low on resist

 6.1. Size:774K  cn wxdh
dh045n04p.pdfpdf_icon

DH045N04E

DH045N04P80A 40V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets used2 DV = 40VDSSadvanced trench technology design, provided excellentRdson and low gate charge. Which accords with the RoHSGR = 5.7mDS(on) (TYP)standard.13 SI = 80AD2 Features Low on resistance Low gate charge Fast switching

 7.1. Size:1385K  cn wxdh
dh045n06 dh045n06f dh045n06i dh045n06e dh045n06b dh045n06d.pdfpdf_icon

DH045N04E

DH045N06/DH045N06F/DH045N06IDH045N06E/DH045N06B/DH045N06D145A 60V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets used2 DV = 60VDSSadvanced trench technology design, provided excellentRdson and low gate charge. Which accords with the RoHSGR = 4.5mDS(on) (TYP)standard.13 SI = 145AD2 Features Low on resi

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top

 


 
.