DHE50N15. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: DHE50N15

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 180 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 55.7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 349 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для DHE50N15

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DHE50N15 даташит

 ..1. Size:1399K  cn wxdh
 dh50n15 dhf50n15 dhi50n15 dhe50n15.pdf pdf_icon

DHE50N15

DH50N15/DHF50N15/ DHI50N15/DHE50N15 50A 150V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhancement mode power mosfets. used 2 D V = 150V DSS advanced trench process technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with the R = 18m DS(on) (Type) G RoHS standard. 1 I = 50A 3 S D 2 Features Low on resistance Low

 8.1. Size:1704K  cn wxdh
 dh50n06fzc dhf50n06fzc dhi50n06fzc dhe50n06fzc dhb50n06fzc dhd50n06fzc.pdf pdf_icon

DHE50N15

Другие IGBT... DH045N06D, DH045N06E, DH045N06F, DH045N06I, DH060N03R, DH060N07B, DH060N07D, DHE50N06FZC, STP80NF70, DHE8004, DHE80N08B22, DHE8290, DHE85N08, DHE90N045R, DHE90N055R, DHE9Z24, DHESJ11N65