DHE80N08B22 - аналоги и даташиты транзистора

 

DHE80N08B22 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: DHE80N08B22
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 145 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 115 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 292 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для DHE80N08B22

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DHE80N08B22 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1310K  cn wxdh
 dh80n08b22 dhf80n08b22 dhi80n08b22 dhe80n08b22 dhb80n08b22 dhd80n08b22.pdf pdf_icon

DHE80N08B22

DH80N08B22/DHF80N08B22/DHI80N08B22/DHE80N08B22/DHB80N08B22/DHD80N08B2280A 80V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets used2 DV = 80VDSSadvanced trench technology design, provided excellentRdson and low gate charge. Which accords with the RoHSR = 6.5mDS(on) (Type)Gstandard.1I = 80A3 S D2 Features

 9.1. Size:1237K  cn wxdh
 dh8004 dhi8004 dhe8004 dh8004d dh8004b.pdf pdf_icon

DHE80N08B22

DH8004/DHI8004/DHE8004/DH8004D/DH8004B180A 80V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets usedadvanced trench technology design, provided excellent2 DRdson and low gate charge. Which accords with the RoHSV = 80VDSSstandard.G R = 2.8mDS(on) (Type)12 Features3 S I = 180AD Fast switching Low on resi

Другие MOSFET... DH045N06F , DH045N06I , DH060N03R , DH060N07B , DH060N07D , DHE50N06FZC , DHE50N15 , DHE8004 , 13N50 , DHE8290 , DHE85N08 , DHE90N045R , DHE90N055R , DHE9Z24 , DHESJ11N65 , DHESJ13N65 , DHESJ17N65 .

History: IPB015N04N | IXFY9130 | AM9410N | FDU8580 | SIHFU420A | IXFX30N50Q | SIHFU220

 

 
Back to Top

 


 
.