Справочник MOSFET. DHE90N055R

 

DHE90N055R Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DHE90N055R
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 164 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 90 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 31 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 790 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0063 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для DHE90N055R

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DHE90N055R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1181K  cn wxdh
 dh90n055r dhf90n055r dhi90n055r dhe90n055r.pdf pdf_icon

DHE90N055R

DH90N055R/DHF90N055R/DHI90N055R/DHE90N055R120A 90V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets used2 DV = 90VDSSadvanced splite gate technology design, provided excellentRdson and low gate charge. Which accords with the RoHSR = 5.5mDS(on) (TYP)Gstandard.1I = 120A3 S D2 Features Fast switching Lo

 7.1. Size:1390K  cn wxdh
 dh90n045r dhf90n045r dhi90n045r dhe90n045r dhb90n045r dhd90n045r.pdf pdf_icon

DHE90N055R

DH90N045R/DHF90N045R/DHI90N045RDHE90N045R/DHB90N045R/DHD90N045R120A 98V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets used2 DV = 98VDSSadvanced splite gate trench technology design, providedexcellent Rdson and low gate charge. Which accords withGR = 4.6mDS(on) (TYP)the RoHS standard.13 SI = 120AD2 Feature

Другие MOSFET... DH060N07D , DHE50N06FZC , DHE50N15 , DHE8004 , DHE80N08B22 , DHE8290 , DHE85N08 , DHE90N045R , STF13NM60N , DHE9Z24 , DHESJ11N65 , DHESJ13N65 , DHESJ17N65 , DHEZ24B31 , DHF035N04 , DHF100N03B13 , DHF10H035R .

History: IRF7811AVPBF-1

 

 
Back to Top

 


 
.