Справочник MOSFET. DHEZ24B31

 

DHEZ24B31 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DHEZ24B31
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 68 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 92.9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 85 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для DHEZ24B31

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DHEZ24B31 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1426K  cn wxdh
 dhz24b31 dhfz24b31 dhiz24b31 dhez24b31 dhbz24b31 dhdz24b31.pdf pdf_icon

DHEZ24B31

DHZ24B31/DHFZ24B31/DHIZ24B31/DHEZ24B31/DHBZ24B31/DHDZ24B3130A 60V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets used2 DV = 60VDSSadvanced trench technology design, provided excellentRdson and low gate charge. Which accords with the RoHSGR = 24mDS(on) (TYP)standard.13 SI = 30AD2 Features Low on resist

Другие MOSFET... DHE8290 , DHE85N08 , DHE90N045R , DHE90N055R , DHE9Z24 , DHESJ11N65 , DHESJ13N65 , DHESJ17N65 , SKD502T , DHF035N04 , DHF100N03B13 , DHF10H035R , DHS020N04D , DHS020N04E , DHS020N04F , DHS020N04I , DHS020N04P .

History: FQPF9N50CT

 

 
Back to Top

 


 
.