DHEZ24B31. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: DHEZ24B31

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 68 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 92.9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 85 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для DHEZ24B31

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DHEZ24B31 даташит

 ..1. Size:1426K  cn wxdh
 dhz24b31 dhfz24b31 dhiz24b31 dhez24b31 dhbz24b31 dhdz24b31.pdf pdf_icon

DHEZ24B31

DHZ24B31/DHFZ24B31/DHIZ24B31/ DHEZ24B31/DHBZ24B31/DHDZ24B31 30A 60V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhancement mode power mosfets used 2 D V = 60V DSS advanced trench technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with the RoHS G R = 24m DS(on) (TYP) standard. 1 3 S I = 30A D 2 Features Low on resist

Другие IGBT... DHE8290, DHE85N08, DHE90N045R, DHE90N055R, DHE9Z24, DHESJ11N65, DHESJ13N65, DHESJ17N65, RFP50N06, DHF035N04, DHF100N03B13, DHF10H035R, DHS020N04D, DHS020N04E, DHS020N04F, DHS020N04I, DHS020N04P