DHB90N03B17 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: DHB90N03B17  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 36.4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 248 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005 Ohm

Тип корпуса: TO251

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для DHB90N03B17

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DHB90N03B17 даташит

 ..1. Size:1086K  cn wxdh
 dhb90n03b17 dhd90n03b17.pdf pdf_icon

DHB90N03B17

DHB90N03B17/DHD90N03B17 90A 30V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhancement mode power mosfets used 2 D V = 30V DSS advanced trench technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with the RoHS G R = 4.0m DS(on) (TYP) standard. 1 3 S I = 90A D 2 Features Low on resistance Low gate charge Fast

 7.1. Size:1390K  cn wxdh
 dh90n045r dhf90n045r dhi90n045r dhe90n045r dhb90n045r dhd90n045r.pdf pdf_icon

DHB90N03B17

DH90N045R/DHF90N045R/DHI90N045R DHE90N045R/DHB90N045R/DHD90N045R 120A 98V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhancement mode power mosfets used 2 D V = 98V DSS advanced splite gate trench technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with G R = 4.6m DS(on) (TYP) the RoHS standard. 1 3 S I = 120A D 2 Feature

Другие IGBT... DHS021N04, DHS021N04B, DHS021N04D, DHS021N04E, DHS021N04P, DHS022N06, DHS022N06E, DHB8290, IRFB31N20D, DHB90N045R, DHB9Z24, DHBSJ11N65, DHBSJ13N65, DHBSJ5N65, DHBSJ7N65, DHBZ24B31, DHD015N06