Справочник MOSFET. DHD100N03B13

 

DHD100N03B13 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DHD100N03B13
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 325 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 426 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0042 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для DHD100N03B13

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DHD100N03B13 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1507K  cn wxdh
 dh100n03b13 dhf100n03b13 dhi100n03b13 dhe100n03b13 dhb100n03b13 dhd100n03b13.pdf pdf_icon

DHD100N03B13

DH100N03B13/DHF100N03B13/DHI100N03B13/DHE100N03B13/DHB100N03B13/DHD100N03B13100A 30V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets used2 DV = 30VDSSadvanced trench technology design, provided excellentRdson and low gate charge. Which accords with the RoHSGR = 3.3mDS(on) (TYP)standard.13 SI = 100AD2 Featur

Другие MOSFET... DHB9Z24 , DHBSJ11N65 , DHBSJ13N65 , DHBSJ5N65 , DHBSJ7N65 , DHBZ24B31 , DHD015N06 , DHD035N04 , AO4468 , DHD16N06 , DHD3205A , DHD3N90 , DHD50N03 , DHF10H037R , DHF16N06 , DHF3205A , DHF3N90 .

History: CSFR3N60LP | AP10N4R5S

 

 
Back to Top

 


 
.