DHD16N06 - аналоги и даташиты транзистора

 

DHD16N06 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: DHD16N06
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 61 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 123 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 607 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.023 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для DHD16N06

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DHD16N06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1349K  cn wxdh
 dh16n06 dhf16n06 dhi16n06 dhe16n06 dhb16n06 dhd16n06.pdf pdf_icon

DHD16N06

DH16N06/DHF16N06/DHI16N06/DHE16N06/DHB16N06/DHD16N0661A 60V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel Enhanced VDMOSFETs Used by the2 DVDSS = 60Vself-aligned planar technology which reduce theconduction loss, improve switching performance andRDS = 16m(on) (TYP)Genhance the avalanche energy. Which accords with the1RoHS standard. ID = 61A3

Другие MOSFET... DHBSJ11N65 , DHBSJ13N65 , DHBSJ5N65 , DHBSJ7N65 , DHBZ24B31 , DHD015N06 , DHD035N04 , DHD100N03B13 , 5N50 , DHD3205A , DHD3N90 , DHD50N03 , DHF10H037R , DHF16N06 , DHF3205A , DHF3N90 , DHF50N06FZC .

History: AO6801E | AM3993P | 2SK3696-01MR | IRFP4127PBF | IPA50R280CE | STL42P6LLF6 | IPI111N15N3

 

 
Back to Top

 


 
.