Справочник MOSFET. DHF85N08

 

DHF85N08 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DHF85N08
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 85 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 123 nC
   trⓘ - Время нарастания: 132 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 410 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0075 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

DHF85N08 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:903K  cn wxdh
 dh85n08 dhf85n08 dhi85n08 dhe85n08.pdf pdf_icon

DHF85N08

DH85N08/DHF85N08/DHI85N08/DHE85N08100A 85V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets used2 DV = 85VDSSadvanced trench technology design, provided excellentRdson and low gate charge. Which accords with the RoHSGR = 6.1mDS(on) (TYP)standard.13 SI = 100AD2 Features Low on resistance Low gate ch

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top

 


 
.