DHI9Z24 - описание и поиск аналогов

 

DHI9Z24 - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: DHI9Z24
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 43 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 42 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm
   Тип корпуса: TO262

 Аналог (замена) для DHI9Z24

 

DHI9Z24 технические параметры

 ..1. Size:1095K  cn wxdh
 dh9z24 dhf9z24 dhi9z24 dhe9z24 dhb9z24 dhd9z24.pdf pdf_icon

DHI9Z24

DH9Z24/DHF9Z24/DHI9Z24 DHE9Z24/DHB9Z24/DHD9Z24 20A 60V P-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These P-channel enhanced vdmosfets, used advanced V = -60V DSS trench technology and design, provide to excellent Rdson with low gate charge. Which accords with the R =58.5m DS(on) (TYP) RoHS standard. I = -20A D 2 Features Fast switching Low on resistance

Другие MOSFET... DH065N04F , DH065N04I , DH065N04P , DH065N06 , DH065N06D , DH065N06E , DHI90N045R , DHI90N055R , IRLB4132 , DHISJ11N65 , DHISJ13N65 , DHISJ17N65 , DHIZ24B31 , DHP035N04 , DHP150N03 , DHP50P04 , DHS008N04P .

History: DHISJ17N65

 

 
Back to Top

 


 
.