Справочник MOSFET. DHS015N06

 

DHS015N06 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DHS015N06
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 227 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 180 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 136 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 62 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 2920 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0022 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для DHS015N06

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DHS015N06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:871K  cn wxdh
 dhs015n06 dhs015n06e.pdf pdf_icon

DHS015N06

DHS015N06&DHS015N06E180A 60V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThis N-channel enhancement mode power MOSFETV = 60VDS2 Dutilizes advanced Split Gate Trench technology, whichR = 1.8mTO-220DS(on) (TYP)provides excellent Rdson and low Gate charge at the sametime. Which accords with the RoHS standard.GR = 1.6mTO-263DS(on) (TYP)1I

 9.1. Size:1371K  cn wxdh
 dhs010n04u.pdf pdf_icon

DHS015N06

DHS010N04U40V/0.8m/300A N-MOSFETFeatures Key Parameters Low on resistance VDS 40V Low reverse transfer capacitances RDS(on)typ. 0.8m 100% single pulse avalanche energy test IDSilicon limit 426A 100% VDS test IDPackage limit 300A Pb-Free plating / Halogen-Free / RoHS compliant Ciss@10V 9864pFQgd 26nCApplications Power switching applications

Другие MOSFET... DHISJ13N65 , DHISJ17N65 , DHIZ24B31 , DHP035N04 , DHP150N03 , DHP50P04 , DHS008N04P , DHS010N04U , 4N60 , DHS015N06E , DHS020N04 , DHS020N04B , DH081N03E , DH081N03F , DH081N03I , DH850N10I , DH85N08 .

History: ZXMN6A08K | STP2NK60Z | IRFH7440 | SIHFI9Z14G | IAUA200N04S5N010 | JCS40N25ANT | SQJ941EP

 

 
Back to Top

 


 
.