Справочник MOSFET. DH081N03E

 

DH081N03E Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DH081N03E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 91 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 125 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для DH081N03E

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DH081N03E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1204K  cn wxdh
 dh081n03 dh081n03f dh081n03i dh081n03e dh081n03b dh081n03d.pdf pdf_icon

DH081N03E

DH081N03/DH081N03F/DH081N03IDH081N03E/DH081N03B/DH081N03D60A 30V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets used2 DV =30VDSSadvanced trench technology design, provided excellentRdson and low gate charge. Which accords with the RoHSGR =8.1mDS(on) (TYP)standard.13 SI =60AD2 Features Low on resistanc

Другие MOSFET... DHP150N03 , DHP50P04 , DHS008N04P , DHS010N04U , DHS015N06 , DHS015N06E , DHS020N04 , DHS020N04B , IRLZ44N , DH081N03F , DH081N03I , DH850N10I , DH85N08 , DH90N045R , DH90N055R , DH9Z24 , DHB035N04 .

History: AOT412 | AOT414 | CSML0060 | DHB50N06FZC | PMPB19XP | AON7423

 

 
Back to Top

 


 
.