DH081N03F datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: DH081N03F  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 91 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 125 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm

Тип корпуса: TO220F

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для DH081N03F

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DH081N03F даташит

 ..1. Size:1204K  cn wxdh
 dh081n03 dh081n03f dh081n03i dh081n03e dh081n03b dh081n03d.pdf pdf_icon

DH081N03F

DH081N03/DH081N03F/DH081N03I DH081N03E/DH081N03B/DH081N03D 60A 30V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhancement mode power mosfets used 2 D V =30V DSS advanced trench technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with the RoHS G R =8.1m DS(on) (TYP) standard. 1 3 S I =60A D 2 Features Low on resistanc

Другие IGBT... DHP50P04, DHS008N04P, DHS010N04U, DHS015N06, DHS015N06E, DHS020N04, DHS020N04B, DH081N03E, IRF530, DH081N03I, DH850N10I, DH85N08, DH90N045R, DH90N055R, DH9Z24, DHB035N04, DHB100N03B13