Справочник MOSFET. DH081N03I

 

DH081N03I Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DH081N03I
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 20 nC
   trⓘ - Время нарастания: 91 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 125 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm
   Тип корпуса: TO262
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

DH081N03I Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1204K  cn wxdh
 dh081n03 dh081n03f dh081n03i dh081n03e dh081n03b dh081n03d.pdf pdf_icon

DH081N03I

DH081N03/DH081N03F/DH081N03IDH081N03E/DH081N03B/DH081N03D60A 30V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets used2 DV =30VDSSadvanced trench technology design, provided excellentRdson and low gate charge. Which accords with the RoHSGR =8.1mDS(on) (TYP)standard.13 SI =60AD2 Features Low on resistanc

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top

 


 
.