Справочник MOSFET. DH90N055R

 

DH90N055R Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DH90N055R
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 164 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 90 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 47 nC
   trⓘ - Время нарастания: 31 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 790 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065 Ohm
   Тип корпуса: TO220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

DH90N055R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1181K  cn wxdh
 dh90n055r dhf90n055r dhi90n055r dhe90n055r.pdf pdf_icon

DH90N055R

DH90N055R/DHF90N055R/DHI90N055R/DHE90N055R120A 90V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets used2 DV = 90VDSSadvanced splite gate technology design, provided excellentRdson and low gate charge. Which accords with the RoHSR = 5.5mDS(on) (TYP)Gstandard.1I = 120A3 S D2 Features Fast switching Lo

 8.1. Size:1390K  cn wxdh
 dh90n045r dhf90n045r dhi90n045r dhe90n045r dhb90n045r dhd90n045r.pdf pdf_icon

DH90N055R

DH90N045R/DHF90N045R/DHI90N045RDHE90N045R/DHB90N045R/DHD90N045R120A 98V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets used2 DV = 98VDSSadvanced splite gate trench technology design, providedexcellent Rdson and low gate charge. Which accords withGR = 4.6mDS(on) (TYP)the RoHS standard.13 SI = 120AD2 Feature

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top

 


 
.