DH9Z24 - Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: DH9Z24
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 43 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 42 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm
Тип корпуса: TO220
DH9Z24 технические параметры
dh9z24 dhf9z24 dhi9z24 dhe9z24 dhb9z24 dhd9z24.pdf
DH9Z24/DHF9Z24/DHI9Z24 DHE9Z24/DHB9Z24/DHD9Z24 20A 60V P-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These P-channel enhanced vdmosfets, used advanced V = -60V DSS trench technology and design, provide to excellent Rdson with low gate charge. Which accords with the R =58.5m DS(on) (TYP) RoHS standard. I = -20A D 2 Features Fast switching Low on resistance
Другие MOSFET... DHS020N04B , DH081N03E , DH081N03F , DH081N03I , DH850N10I , DH85N08 , DH90N045R , DH90N055R , TK10A60D , DHB035N04 , DHB100N03B13 , DHB16N06 , DHB3205A , DHB3N90 , DHB50N03 , DHB50N06FZC , DHB80N08B22 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP3100A | AP30P06K | AP30P06 | AP30N04K | AP30N03K | AP30H80K | AP30H60K | AP30H220G | AP30H180K | AP30H150Q | AP30H150K | AP30H150G | AP3065SD | AP3004S | AP3003 | AP3002S
Popular searches
tip31c reemplazo | 2sa906 | c2389 transistor | c2634 transistor | mdp1991 datasheet | 40636 transistor | ao3407 datasheet | c1841 transistor


