DH9Z24 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: DH9Z24  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 43 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 42 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm

Тип корпуса: TO220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для DH9Z24

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DH9Z24 даташит

 ..1. Size:1095K  cn wxdh
 dh9z24 dhf9z24 dhi9z24 dhe9z24 dhb9z24 dhd9z24.pdf pdf_icon

DH9Z24

DH9Z24/DHF9Z24/DHI9Z24 DHE9Z24/DHB9Z24/DHD9Z24 20A 60V P-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These P-channel enhanced vdmosfets, used advanced V = -60V DSS trench technology and design, provide to excellent Rdson with low gate charge. Which accords with the R =58.5m DS(on) (TYP) RoHS standard. I = -20A D 2 Features Fast switching Low on resistance

Другие IGBT... DHS020N04B, DH081N03E, DH081N03F, DH081N03I, DH850N10I, DH85N08, DH90N045R, DH90N055R, TK10A60D, DHB035N04, DHB100N03B13, DHB16N06, DHB3205A, DHB3N90, DHB50N03, DHB50N06FZC, DHB80N08B22