Справочник MOSFET. FQU11P06

 

FQU11P06 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: FQU11P06
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 38 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 13 nC
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.185 Ohm
   Тип корпуса: TO251 IPAK

 Аналог (замена) для FQU11P06

 

 

FQU11P06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:851K  fairchild semi
 fqd11p06tf fqd11p06tm fqd11p06 fqu11p06 fqu11p06tu.pdf

FQU11P06 FQU11P06

January 2009QFETFQD11P06 / FQU11P0660V P-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese P-Channel enhancement mode power field effect -9.4A, -60V, RDS(on) = 0.185 @VGS = -10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 13 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 45 pF)This advanced technology has been especi

 ..2. Size:1339K  onsemi
 fqd11p06 fqu11p06.pdf

FQU11P06 FQU11P06

Is Now Part ofTo learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.comPlease note: As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductors system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

 ..3. Size:1669K  cn vbsemi
 fqu11p06.pdf

FQU11P06 FQU11P06

FQU11P06www.VBsemi.twP-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) 100 % UIS Tested0.066 at VGS = - 10 V - 20APPLICATIONS- 60 40 nC at VGS = - 4.5 V - 180.080 Load SwitchTO-251SGDP-Channel MOSFETG D STop ViewABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C, unless otherwise noted)Par

Другие MOSFET... FQT4N25 , FQT5P10 , FQT7N10 , FDB14AN06LF085 , FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , IRF540 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , FQU13N10L , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A .

 

 
Back to Top