DHB3N90 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: DHB3N90  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 900 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 32 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 44 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5.5 Ohm

Тип корпуса: TO251

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для DHB3N90

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DHB3N90 даташит

 ..1. Size:1394K  cn wxdh
 dh3n90 dhf3n90 dhi3n90 dhe3n90 dhb3n90 dhd3n90.pdf pdf_icon

DHB3N90

DH3N90/DHF3N90/DHI3N90/ DHE3N90/DHB3N90/DHD3N90 3A 900V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhanced vdmosfets, is obtained by the 2 D V = 900V DSS self-aligned planar technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and R = 4.7 DS(on) (TYP) G enhance the avalanche energy. Which accords with the 1 RoHS standard. I = 3

Другие IGBT... DH85N08, DH90N045R, DH90N055R, DH9Z24, DHB035N04, DHB100N03B13, DHB16N06, DHB3205A, IRF1407, DHB50N03, DHB50N06FZC, DHB80N08B22, DH066N06, DH066N06D, DH066N06E, DH072N07, DH072N07B