DHB3N90 - описание и поиск аналогов

 

DHB3N90 - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: DHB3N90
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 32 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 44 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5.5 Ohm
   Тип корпуса: TO251

 Аналог (замена) для DHB3N90

 

DHB3N90 технические параметры

 ..1. Size:1394K  cn wxdh
 dh3n90 dhf3n90 dhi3n90 dhe3n90 dhb3n90 dhd3n90.pdf pdf_icon

DHB3N90

DH3N90/DHF3N90/DHI3N90/ DHE3N90/DHB3N90/DHD3N90 3A 900V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhanced vdmosfets, is obtained by the 2 D V = 900V DSS self-aligned planar technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and R = 4.7 DS(on) (TYP) G enhance the avalanche energy. Which accords with the 1 RoHS standard. I = 3

Другие MOSFET... DH85N08 , DH90N045R , DH90N055R , DH9Z24 , DHB035N04 , DHB100N03B13 , DHB16N06 , DHB3205A , IRF1407 , DHB50N03 , DHB50N06FZC , DHB80N08B22 , DH066N06 , DH066N06D , DH066N06E , DH072N07 , DH072N07B .

History: NDT3055L

 

 
Back to Top

 


 
.