DHB50N03 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: DHB50N03  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 110 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0075 Ohm

Тип корпуса: TO251

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для DHB50N03

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DHB50N03 даташит

 ..1. Size:891K  cn wxdh
 dhb50n03 dhd50n03.pdf pdf_icon

DHB50N03

DHB50N03/DHD50N03 50A 30V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhanced vdmosfets used advanced 2 D V = 30V DSS trench technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with the RoHS standard. R = 6.0m DS(on) (TYP) G 1 2 Features I = 50A 3 S D Low switching loss Low on resistance Low gate charge Lo

 7.1. Size:1704K  cn wxdh
 dh50n06fzc dhf50n06fzc dhi50n06fzc dhe50n06fzc dhb50n06fzc dhd50n06fzc.pdf pdf_icon

DHB50N03

Другие IGBT... DH90N045R, DH90N055R, DH9Z24, DHB035N04, DHB100N03B13, DHB16N06, DHB3205A, DHB3N90, 2SK3568, DHB50N06FZC, DHB80N08B22, DH066N06, DH066N06D, DH066N06E, DH072N07, DH072N07B, DH072N07D