Справочник MOSFET. DHB80N08B22

 

DHB80N08B22 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DHB80N08B22
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 145 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 115 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 292 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
   Тип корпуса: TO251
 

 Аналог (замена) для DHB80N08B22

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DHB80N08B22 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1310K  cn wxdh
 dh80n08b22 dhf80n08b22 dhi80n08b22 dhe80n08b22 dhb80n08b22 dhd80n08b22.pdf pdf_icon

DHB80N08B22

DH80N08B22/DHF80N08B22/DHI80N08B22/DHE80N08B22/DHB80N08B22/DHD80N08B2280A 80V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets used2 DV = 80VDSSadvanced trench technology design, provided excellentRdson and low gate charge. Which accords with the RoHSR = 6.5mDS(on) (Type)Gstandard.1I = 80A3 S D2 Features

Другие MOSFET... DH9Z24 , DHB035N04 , DHB100N03B13 , DHB16N06 , DHB3205A , DHB3N90 , DHB50N03 , DHB50N06FZC , 13N50 , DH066N06 , DH066N06D , DH066N06E , DH072N07 , DH072N07B , DH072N07D , DH072N07E , DH072N07F .

History: VBE2102M | OSG80R380HF | QM3018D | HGN080N10SL | 7409B | PD696BA

 

 
Back to Top

 


 
.