DHB80N08B22 - описание и поиск аналогов

 

DHB80N08B22 - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: DHB80N08B22
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 145 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 115 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 292 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
   Тип корпуса: TO251

 Аналог (замена) для DHB80N08B22

 

DHB80N08B22 технические параметры

 ..1. Size:1310K  cn wxdh
 dh80n08b22 dhf80n08b22 dhi80n08b22 dhe80n08b22 dhb80n08b22 dhd80n08b22.pdf pdf_icon

DHB80N08B22

DH80N08B22/DHF80N08B22/DHI80N08B22/ DHE80N08B22/DHB80N08B22/DHD80N08B22 80A 80V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhancement mode power mosfets used 2 D V = 80V DSS advanced trench technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with the RoHS R = 6.5m DS(on) (Type) G standard. 1 I = 80A 3 S D 2 Features

Другие MOSFET... DH9Z24 , DHB035N04 , DHB100N03B13 , DHB16N06 , DHB3205A , DHB3N90 , DHB50N03 , DHB50N06FZC , 5N60 , DH066N06 , DH066N06D , DH066N06E , DH072N07 , DH072N07B , DH072N07D , DH072N07E , DH072N07F .

 

 
Back to Top

 


 
.