DHB80N08B22 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: DHB80N08B22  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 145 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 115 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 292 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm

Тип корпуса: TO251

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для DHB80N08B22

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DHB80N08B22 даташит

 ..1. Size:1310K  cn wxdh
 dh80n08b22 dhf80n08b22 dhi80n08b22 dhe80n08b22 dhb80n08b22 dhd80n08b22.pdf pdf_icon

DHB80N08B22

DH80N08B22/DHF80N08B22/DHI80N08B22/ DHE80N08B22/DHB80N08B22/DHD80N08B22 80A 80V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhancement mode power mosfets used 2 D V = 80V DSS advanced trench technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with the RoHS R = 6.5m DS(on) (Type) G standard. 1 I = 80A 3 S D 2 Features

Другие IGBT... DH9Z24, DHB035N04, DHB100N03B13, DHB16N06, DHB3205A, DHB3N90, DHB50N03, DHB50N06FZC, 5N60, DH066N06, DH066N06D, DH066N06E, DH072N07, DH072N07B, DH072N07D, DH072N07E, DH072N07F