DH066N06E datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: DH066N06E  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 110 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065 Ohm

Тип корпуса: TO263

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для DH066N06E

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DH066N06E даташит

 ..1. Size:1013K  cn wxdh
 dh066n06 dh066n06e.pdf pdf_icon

DH066N06E

DH066N06/DH066N06E 110A 60V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhancement mode power mosfets used V = 60V DSS advanced trench technology design, provided excellent 2 D Rdson and low gate charge. Which accords with the RoHS R = 5.7m TO-220 DS(on) (TYP) standard. G 1 R = 5.5m TO-263 DS(on) (TYP) 3 S 2 Features I = 110A D

 6.1. Size:851K  cn wxdh
 dh066n06d.pdf pdf_icon

DH066N06E

DH066N06D 100A 60V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhancement mode power mosfets used 2 D V = 60V DSS advanced trench technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with the RoHS R = 5.8m G DS(on) (TYP) standard. 1 I = 100A 3 S D 2 Features Low on resistance Low gate charge Fast switching

Другие IGBT... DHB16N06, DHB3205A, DHB3N90, DHB50N03, DHB50N06FZC, DHB80N08B22, DH066N06, DH066N06D, 4N60, DH072N07, DH072N07B, DH072N07D, DH072N07E, DH072N07F, DH072N07I, DH075N08, DH075N08E