DH066N06E - описание и поиск аналогов

 

Аналоги DH066N06E. Основные параметры


   Наименование производителя: DH066N06E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 110 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для DH066N06E

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DH066N06E даташит

 ..1. Size:1013K  cn wxdh
 dh066n06 dh066n06e.pdf pdf_icon

DH066N06E

DH066N06/DH066N06E 110A 60V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhancement mode power mosfets used V = 60V DSS advanced trench technology design, provided excellent 2 D Rdson and low gate charge. Which accords with the RoHS R = 5.7m TO-220 DS(on) (TYP) standard. G 1 R = 5.5m TO-263 DS(on) (TYP) 3 S 2 Features I = 110A D

 6.1. Size:851K  cn wxdh
 dh066n06d.pdf pdf_icon

DH066N06E

DH066N06D 100A 60V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhancement mode power mosfets used 2 D V = 60V DSS advanced trench technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with the RoHS R = 5.8m G DS(on) (TYP) standard. 1 I = 100A 3 S D 2 Features Low on resistance Low gate charge Fast switching

Другие MOSFET... DHB16N06 , DHB3205A , DHB3N90 , DHB50N03 , DHB50N06FZC , DHB80N08B22 , DH066N06 , DH066N06D , AO3407 , DH072N07 , DH072N07B , DH072N07D , DH072N07E , DH072N07F , DH072N07I , DH075N08 , DH075N08E .

History: AO4818B | AGM205D | BRF4N70

 

 
Back to Top

 


 
.