DH066N06E - аналоги и даташиты транзистора

 

DH066N06E - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: DH066N06E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 110 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для DH066N06E

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DH066N06E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1013K  cn wxdh
 dh066n06 dh066n06e.pdf pdf_icon

DH066N06E

DH066N06/DH066N06E110A 60V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets usedV = 60VDSSadvanced trench technology design, provided excellent 2 DRdson and low gate charge. Which accords with the RoHSR = 5.7mTO-220DS(on) (TYP)standard.G1R = 5.5mTO-263DS(on) (TYP)3 S2 FeaturesI = 110AD

 6.1. Size:851K  cn wxdh
 dh066n06d.pdf pdf_icon

DH066N06E

DH066N06D100A 60V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets used2 DV = 60VDSSadvanced trench technology design, provided excellentRdson and low gate charge. Which accords with the RoHSR = 5.8mG DS(on) (TYP)standard.1I = 100A3 S D2 Features Low on resistance Low gate charge Fast switching

Другие MOSFET... DHB16N06 , DHB3205A , DHB3N90 , DHB50N03 , DHB50N06FZC , DHB80N08B22 , DH066N06 , DH066N06D , 4N60 , DH072N07 , DH072N07B , DH072N07D , DH072N07E , DH072N07F , DH072N07I , DH075N08 , DH075N08E .

History: IXTH67N10MA | IPT60R022S7 | STP4N150 | IRF1018EPBF | FDD45AN06LA0 | JMSH1018PE | JMSL0612AGQ

 

 
Back to Top

 


 
.