FQU12N20 - описание и поиск аналогов

 

FQU12N20. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FQU12N20

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 55 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.28 Ohm

Тип корпуса: TO251 IPAK

Аналог (замена) для FQU12N20

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FQU12N20 даташит

 ..1. Size:801K  fairchild semi
 fqd12n20tf fqd12n20tm fqd12n20 fqu12n20 fqu12n20tu.pdf pdf_icon

FQU12N20

January 2009 QFET FQD12N20 / FQU12N20 200V N-ChanneI MOSFET GeneraI Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 9.0A, 200V, RDS(on) = 0.28 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 18 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 18 pF) This advanced technology has been especia

 0.1. Size:699K  fairchild semi
 fqd12n20ltf fqd12n20ltm fqd12n20l fqu12n20l.pdf pdf_icon

FQU12N20

January 2009 QFET FQD12N20L / FQU12N20L 200V LOGIC N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 9.0A, 200V, RDS(on) = 0.28 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 16 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 17 pF) This advanced technology has been

Другие MOSFET... FQT5P10 , FQT7N10 , FDB14AN06LF085 , FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , 50N06 , FDPF085N10A , FQU13N06L , FQU13N10L , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L .

History: STP4NA80

 

 

 


 
↑ Back to Top
.