DH072N07E - описание и поиск аналогов

 

DH072N07E - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: DH072N07E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 130 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 68 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 104 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 245 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm
   Тип корпуса: TO263

 Аналог (замена) для DH072N07E

 

DH072N07E технические параметры

 ..1. Size:1276K  cn wxdh
 dh072n07 dh072n07f dh072n07i dh072n07e dh072n07b dh072n07d.pdf pdf_icon

DH072N07E

DH072N07/DH072N07F/DH072N07I/ DH072N07E/DH072N07B/DH072N07D 80A 68V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhancement mode power mosfets used 2 D V = 68V DSS advanced trench technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with the RoHS R = 7.2m G DS(on) (Type) standard. 1 I = 80A 3 S D 2 Features Fast switchin

Другие MOSFET... DHB50N06FZC , DHB80N08B22 , DH066N06 , DH066N06D , DH066N06E , DH072N07 , DH072N07B , DH072N07D , IRF2807 , DH072N07F , DH072N07I , DH075N08 , DH075N08E , DH081N03 , DH081N03B , DH081N03D , DHD7N65 .

 

 
Back to Top

 


 
.