DH072N07I datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: DH072N07I  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 130 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 68 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 104 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 245 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm

Тип корпуса: TO262

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для DH072N07I

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DH072N07I даташит

 ..1. Size:1276K  cn wxdh
 dh072n07 dh072n07f dh072n07i dh072n07e dh072n07b dh072n07d.pdf pdf_icon

DH072N07I

DH072N07/DH072N07F/DH072N07I/ DH072N07E/DH072N07B/DH072N07D 80A 68V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhancement mode power mosfets used 2 D V = 68V DSS advanced trench technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with the RoHS R = 7.2m G DS(on) (Type) standard. 1 I = 80A 3 S D 2 Features Fast switchin

Другие IGBT... DH066N06, DH066N06D, DH066N06E, DH072N07, DH072N07B, DH072N07D, DH072N07E, DH072N07F, IRFZ24N, DH075N08, DH075N08E, DH081N03, DH081N03B, DH081N03D, DHD7N65, DHD80N03, DHD80N08