DH081N03 - описание и поиск аналогов

 

DH081N03 - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: DH081N03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 91 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 125 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm
   Тип корпуса: TO220

 Аналог (замена) для DH081N03

 

DH081N03 технические параметры

 ..1. Size:1204K  cn wxdh
 dh081n03 dh081n03f dh081n03i dh081n03e dh081n03b dh081n03d.pdf pdf_icon

DH081N03

DH081N03/DH081N03F/DH081N03I DH081N03E/DH081N03B/DH081N03D 60A 30V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhancement mode power mosfets used 2 D V =30V DSS advanced trench technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with the RoHS G R =8.1m DS(on) (TYP) standard. 1 3 S I =60A D 2 Features Low on resistanc

Другие MOSFET... DH072N07 , DH072N07B , DH072N07D , DH072N07E , DH072N07F , DH072N07I , DH075N08 , DH075N08E , P60NF06 , DH081N03B , DH081N03D , DHD7N65 , DHD80N03 , DHD80N08 , DHD9Z24 , DHDSJ11N65 , DHDSJ13N65 .

 

 
Back to Top

 


 
.