DHE029N08 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: DHE029N08  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 245 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 180 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1030 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm

Тип корпуса: TO263

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для DHE029N08

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DHE029N08 даташит

 ..1. Size:1242K  cn wxdh
 dh029n08 dhi029n08 dhe029n08 dh029n08d dh029n08b.pdf pdf_icon

DHE029N08

DH029N08/DHI029N08/DHE029N08/ DH029N08D/DH029N08B 180A 80V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhancement mode power mosfets used advanced trench technology design, provided excellent 2 D Rdson and low gate charge. Which accords with the RoHS V = 80V DSS standard. G R = 2.9m DS(on) (Type) 1 2 Features 3 S I = 180A D Fast switching L

Другие IGBT... DHD80N03, DHD80N08, DHD9Z24, DHDSJ11N65, DHDSJ13N65, DHDSJ5N65, DHDSJ7N65, DHDZ24B31, IRFB7545, DHE035N04, DHE100N03B13, DHE10H035R, DHE10H037R, DHE16N06, DHE3205A, DHE3N90, DHFSJ8N65